La méthode d'évaporation par faisceau d'électrons est une sorte de revêtement par évaporation sous vide, qui utilise des faisceaux d'électrons pour chauffer directement le matériau d'évaporation sous vide, vaporiser le matériau d'évaporation et le transporter vers le substrat, et se condenser sur le substrat pour former un film mince. Dans le dispositif de chauffage par faisceau d'électrons, la substance chauffée est placée dans un creuset refroidi à l'eau, ce qui peut éviter la réaction entre le matériau d'évaporation et la paroi du creuset et affecter la qualité du film. Plusieurs creusets peuvent être placés dans l'appareil pour réaliser une évaporation et un dépôt simultanés ou séparés de diverses substances. Avec l’évaporation par faisceau d’électrons, n’importe quel matériau peut être évaporé.
L'évaporation par faisceau d'électrons peut évaporer des matériaux à point de fusion élevé. Comparé à l'évaporation par chauffage par résistance générale, il présente une efficacité thermique plus élevée, une densité de courant de faisceau plus élevée et une vitesse d'évaporation plus rapide. Film et film de divers matériaux optiques tels que le verre conducteur.
La caractéristique de l’évaporation par faisceau d’électrons est qu’elle ne couvre pas ou rarement les deux côtés de la structure tridimensionnelle cible, et ne se dépose généralement que sur la surface cible. C'est la différence entre l'évaporation par faisceau d'électrons et la pulvérisation cathodique.
L'évaporation par faisceau d'électrons est couramment utilisée dans le domaine de la recherche et de l'industrie des semi-conducteurs. L’énergie électronique accélérée est utilisée pour frapper la cible matérielle, provoquant l’évaporation et l’élévation de la cible matérielle. Finalement déposé sur la cible.
Heure de publication : 02 décembre 2022