Pièces en tungstène et molybdène pour l'implantation ionique
Pièces en tungstène et molybdène pour l'implantation ionique
Nous fournissons des pièces de rechange de haute précision en tungstène et en molybdène implantés par ions. Nos produits ont une granulométrie fine, une densité relative supérieure à 99 %, des propriétés mécaniques à haute température plus élevées que les matériaux tungstène-molybdène ordinaires et une durée de vie nettement plus longue.
Ces composants d'implantation ionique comprennent :
•Cylindre de protection de cathode à émission électronique.
•planche de lancement.
•Pôle central.
•Plaque de filament d'interrupteur, etc.
Informations sur les pièces d'implantation ionique
| Nom des produits | Pièces d'implantation ionique |
| Matériel | Tungstène pur (W) / Molybdène pur (Mo) |
| Pureté | 99,95% |
| Densité | L : 19,3 g/cm³ / Mo : 10,2 g/cm³ |
| Point de fusion | W : 3410 ℃ / Mo : 2620 ℃ |
| Point d'ébullition | W : 5660 ℃ / Mo : 5560 ℃ |
| Remarque : traitement selon les dessins | |
Implantation ionique
L'implantation ionique est un processus important dans la production de semi-conducteurs. Les systèmes d'implantation introduisent des atomes étrangers dans la tranche pour modifier les propriétés du matériau, telles que la conductivité électrique ou la structure cristalline. Le trajet du faisceau ionique est le centre du système d’implantation. Là, les ions sont créés, concentrés et accélérés vers la plaquette à des vitesses extrêmement élevées.
Lorsque la source d'ions est convertie en ions plasma, des températures de fonctionnement supérieures à 2 000 °C sont créées. Lorsque le faisceau d’ions est éjecté, il produit également une grande quantité d’énergie cinétique ionique. Le métal brûle et fond généralement rapidement. Par conséquent, un métal noble avec des densités de masse plus élevées est nécessaire pour maintenir la direction d’éjection du faisceau d’ions et augmenter la durabilité des composants. Le tungstène et le molybdène sont les matériaux idéaux.
Pourquoi choisir des matériaux en tungstène et en molybdène pour les composants d'implantation ionique
•Bonne résistance à la corrosion•Haute résistance du matériau•Bonne conductivité thermique
Ils garantissent que les ions sont générés efficacement et focalisés avec précision sur la plaquette dans le trajet du faisceau et exempts de toute impureté.
Nos avantages
•Matières premières de haute qualité
•Technologie de production avancée
•Usinage CNC de précision
•Contrôle de qualité strict
•Délai de livraison plus court
Nous optimisons en fonction du processus de production original des matériaux en tungstène et en molybdène. Grâce au raffinement du grain, au traitement d'alliage, au frittage sous vide et à la densification par pressage isostatique à chaud, au raffinement secondaire du grain et à la technologie de laminage contrôlé, la résistance à haute température, la résistance au fluage et la durée de vie des matériaux en tungstène et en molybdène sont considérablement améliorées.
Technologie d'implantation d'ions semi-conducteurs
L'implantation ionique est un procédé couramment utilisé pour doper et modifier les matériaux semi-conducteurs. L’application de la technologie d’implantation ionique a grandement favorisé le développement des dispositifs semi-conducteurs et de l’industrie des circuits intégrés. Faisant ainsi entrer la production de circuits intégrés dans l’ère de la grande et de l’ultra-grande échelle (ULSI).
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