Pièces en tungstène et molybdène pour l'implantation ionique

Notre société est spécialisée dans la production de pièces en tungstène et molybdène pour l'implantation ionique.Ces composants comprennent le cylindre de blindage de la cathode d'émission d'électrons, la plaque d'émission, la tige de fixation centrale, la plaque de filament de la chambre d'extinction d'arc, etc. La granulométrie de nos produits est affinée, la densité relative est supérieure à 99%, les propriétés mécaniques à haute température sont supérieures à celles des matériaux ordinaires en tungstène et en molybdène, et la durée de vie est également considérablement prolongée.


  • Application:Implantateur d'ions pour l'industrie des semi-conducteurs
  • Matériel:Pur W, Pur Mo
  • Dimensions:Produire selon les dessins
  • Quantité minimale de commande :5 pièces
  • Délai de livraison:10-15 jours
  • Mode de paiement:T/T, PayPal, Alipay, WeChat Pay, etc.
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    Détail du produit

    Mots clés du produit

    Pièces en tungstène et molybdène pour l'implantation ionique

    Nous fournissons des pièces de rechange de haute précision en tungstène et en molybdène implantés par ions.Nos produits ont une granulométrie fine, une densité relative supérieure à 99 %, des propriétés mécaniques à haute température plus élevées que les matériaux tungstène-molybdène ordinaires et une durée de vie nettement plus longue.

    Ces composants d'implantation ionique comprennent :

    Cylindre de protection de cathode à émission électronique.

    planche de lancement.

    Pôle central.

    Plaque de filament d'interrupteur, etc.

    Informations sur les pièces d'implantation ionique

    Nom des produits

    Pièces d'implantation ionique

    Matériel

    Tungstène pur (W) / Molybdène pur (Mo)

    Pureté

    99,95%

    Densité

    L : 19,3 g/cm³ / Mo : 10,2 g/cm³

    Point de fusion

    W : 3410 ℃ / Mo : 2620 ℃

    Point d'ébullition

    W : 5660 ℃ / Mo : 5560 ℃

    Remarque : traitement selon les dessins

    Implantation ionique

    L'implantation ionique est un processus important dans la production de semi-conducteurs.Les systèmes d'implantation introduisent des atomes étrangers dans la tranche pour modifier les propriétés du matériau, telles que la conductivité électrique ou la structure cristalline.Le trajet du faisceau ionique est le centre du système d’implantation.Là, les ions sont créés, concentrés et accélérés vers la plaquette à des vitesses extrêmement élevées.

    Pièces en tungstène et molybdène pour l'implantation ionique

    Lorsque la source d'ions est convertie en ions plasma, des températures de fonctionnement supérieures à 2 000 °C sont créées.Lorsque le faisceau d’ions est éjecté, il produit également une grande quantité d’énergie cinétique ionique.Le métal brûle et fond généralement rapidement.Par conséquent, un métal noble avec des densités de masse plus élevées est nécessaire pour maintenir la direction d’éjection du faisceau d’ions et augmenter la durabilité des composants.Le tungstène et le molybdène sont les matériaux idéaux.

    Pourquoi choisir des matériaux en tungstène et en molybdène pour les composants d'implantation ionique

    Bonne résistance à la corrosionHaute résistance du matériauBonne conductivité thermique

    Ils garantissent que les ions sont générés efficacement et focalisés avec précision sur la plaquette dans le trajet du faisceau et exempts de toute impureté.

    Pièces en tungstène-molybdène implantées par ions

    Nos avantages

    Matières premières de haute qualité
    Technologie de production avancée
    Usinage CNC de précision
    Contrôle de qualité strict
    Délai de livraison plus court

    Nous optimisons en fonction du processus de production original des matériaux en tungstène et en molybdène.Grâce au raffinement du grain, au traitement d'alliage, au frittage sous vide et à la densification par pressage isostatique à chaud, au raffinement secondaire du grain et à la technologie de laminage contrôlé, la résistance à haute température, la résistance au fluage et la durée de vie des matériaux en tungstène et en molybdène sont considérablement améliorées.

    Technologie d'implantation d'ions semi-conducteurs

    L'implantation ionique est un procédé couramment utilisé pour doper et modifier les matériaux semi-conducteurs.L’application de la technologie d’implantation ionique a grandement favorisé le développement des dispositifs semi-conducteurs et de l’industrie des circuits intégrés.Faisant ainsi entrer la production de circuits intégrés dans l’ère de la grande et de l’ultra-grande échelle (ULSI).

    implantation d'ions semi-conducteurs
    Directrice des ventes-Amanda-2023001

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    Si vous souhaitez connaître plus de détails et les prix de nos produits, veuillez contacter notre responsable commerciale, elle vous répondra dans les plus brefs délais (généralement pas plus de 24h), merci.


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